目前國內研究光刻機的企業不少，因為光刻機實在太重要了。

由于光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平，光刻成為 IC 制造中最復雜、最關鍵的工藝步驟， 光刻的核心設備——光刻機更是被譽為半導體工業皇冠上的明珠。目前最先進的是第五代 EUV光刻機，采用極紫外光，可將最小工藝節點推進至 7nm。由荷蘭 ASML制造。

國內光刻機技術比較先進，已經量產的應該是上海微電子裝備有限責任公司（簡稱SMEE)，已經實現90nm的量產，目前正在研究65nm的工藝。

其他的包括 合肥芯碩半導體有限公司、先騰光電科技有限公司、無錫影速半導體科技有限公司等一些企業，在光刻機上衣和有自己的成果。

但這些光刻機企業，目前還是在原來的道路上一步一步往前走，相信只要努力，未來也能達到很高的水平。但對于光刻機行業來說，他們的追趕速度雖然很快，但技術進步的速度也是很快。所以，他們只能持續在低端方面，占有一定的市場份額。

如果要進入高端市場，目前國內最先進的光刻機技術，應該是中科院光電技術研究所的技術成果。

2018年11月29日，新華社報道稱，國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”29日通過驗收。據悉，該光刻機由中國科學院光電技術研究所研制，光刻分辨力達到22納米，結合雙重曝光技術后，未來還可用于制造10納米級別的芯片。

也就是中國科學院光電技術研究所的這個成果，直接將中國光刻機技術向前推進好幾代。

當然，這個科研成果，距離完整實現量產，還有好幾個關卡要過。

首先是光刻分辨力達到22納米只是一次極限測試，屬于單次曝光，還制造不了芯片。

其次是，能夠實驗室制造芯片，還要實現量產，這又是一個關卡。

但總的來說，已經有了“光刻分辨力達到22納米”，那么距離成型機，已經沒有那么遙遠了。

更重要的是，目前的紫外線光刻技術，在7nm的芯片出來之后，已經需要一個新的工藝突破。就像當年從液浸式到 EUV的技術飛躍一般。

而中科院這個項目，走了另外一條道路。拿一塊金屬片和非金屬片親密接觸，界面上有一些亂蹦的電子;光投影在金屬上，這些電子就有序地震蕩，產生波長幾十納米的電磁波，可用來光刻。這叫表面等離子體光刻。

這條道路的優勢是未來的成本可以低于目前主流的技術，極限可能高于未來的主流技術，在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發新路線，繞過國外相關知識產權壁壘。

也就是，中科院光電技術研究所的這條技術路徑，是非常有價值的一次技術突破，或者技術發現。有可能讓中國的光刻機實現彎道超車，而不是在現在主流的工藝道路上亦步亦趨。

    光刻機是芯片生產中不可少的關鍵設備，而且光刻機的技術門檻極高，整個設備的不同部位采用了世界上最先進的技術，德國的光學設備、美國的計量設備等，可以說是“集人類智慧大成的產物”。

    全球最先進的EUV光刻機全球只有荷蘭的ASML生產，占據了光刻機市場高達80%的市場。Intel、臺積電、三星的光刻機都來自于與ASML。

    最頂尖的光刻機不是荷蘭一個公司制造的，集合了許多國家最先進技術的技術支持，可以說是多個國家國家共同努力的結果，比如德國的光學鏡頭、美國的計量設備等。ASML將這些來自不同國家的3萬多個配件，分為13個系統，需要將誤差分散到13個系統，如果德國的光學設備做的不準、美國的光源不準，那么ASML瞬間就是失去了精神。

    相較于荷蘭、德國、美國等這些國家，我國的芯片制造以及超精密度機械制造方面不具有優勢。再加上《瓦森納協定》的技術封鎖，因此，在高端光刻機領域，我國可以收仍然是空白。

    上海微電子裝備有限公司（SMEE）是我國國內唯一能夠做光刻機的企業。上海微電已經量產的光刻機中，性能最好的是SSA600/200工藝，能夠達到90nm的制程工藝，相當于2004年奔四CPU的水平。因此，國內晶圓廠所需要的高端光刻機完全依賴進口。

    目前，最先進的光刻機是ASML的極紫外光刻（EUV），用于7nm、5nm光刻技術，對于EUV光刻關鍵技術，國外進行了嚴重的技術封鎖。我國在2017年，多個科研單位合作經過7年的潛心鉆研，突破了EUV關鍵技術。根據相關資料披露，計劃2030年實現EUV光刻機國產化。

    總之，在高端光刻機領域，我國的技術仍然比較薄弱。目前，中芯國際已經從ASML成功訂購了一臺7nm制程的EUV光刻機，希望能夠在高端芯片制造領域能夠找到“備胎”。